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TFT液晶屏 在顯示屏行業中一(yi)直都(dou)是(shi)作為(wei)主流，而它的(de)長存(cun)也絕(jue)非(fei)偶然，無論從發光(guang)效率、全彩色，還(huan)是(shi)壽命，都(dou)已取(qu)得了輝煌的(de)成果，而且還(huan)在不斷深化之中。那它的(de)制造(zao)工藝具體(ti)分(fen)為(wei)哪幾部(bu)分(fen)呢?下面勛瑞光(guang)電為(wei)大家簡單介紹一(yi)下:

TFT液晶屏的制造工藝有以下幾部分：在tft基板上形成tft陣列;在彩色濾光片基板上形成彩色濾光圖案及ito導電層用兩塊基板形成液晶盒;安裝外圍電路、組裝背光源等的模塊組裝。

1. 在(zai)tft基(ji)板(ban)上形成tft陣列(lie)的工(gong)藝 　現已實(shi)現產業化(hua)的tft類型包括：非晶硅(gui)(gui)tft(a-si tft)、多(duo)晶硅(gui)(gui)tft(p-si tft)、單晶硅(gui)(gui)tft(c-si tft)幾種。目前使用最(zui)多(duo)的仍是a-si tft。a-si tft的制造(zao)工(gong)藝是先(xian)在(zai)硼(peng)硅(gui)(gui)玻璃基(ji)板(ban)上濺射(she)柵極(ji)材料膜，經掩膜曝光、顯影、干法蝕刻后形成柵極(ji)布線圖(tu)案。

一般掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)曝(pu)光用(yong)(yong)(yong)(yong)步(bu)進(jin)曝(pu)光機。第(di)(di)(di)二步(bu)是用(yong)(yong)(yong)(yong)pecvd法(fa)進(jin)行連(lian)續(xu)成(cheng)(cheng)(cheng)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)，形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)sinx膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)、非摻(chan)雜(za)a-si膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)，摻(chan)磷n+a-si膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)。然后再進(jin)行掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)曝(pu)光及(ji)(ji)干(gan)法(fa)蝕刻形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)tft部分的a-si圖(tu)案。第(di)(di)(di)三步(bu)是用(yong)(yong)(yong)(yong)濺射成(cheng)(cheng)(cheng)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)法(fa)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)透明(ming)電(dian)極(ji)(ito膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo))，再經掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)曝(pu)光及(ji)(ji)濕法(fa)蝕刻形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)顯(xian)示電(dian)極(ji)圖(tu)案。第(di)(di)(di)四步(bu)柵極(ji)端(duan)部絕(jue)緣膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)的接觸(chu)孔(kong)圖(tu)案形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)則是使(shi)用(yong)(yong)(yong)(yong)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)曝(pu)光及(ji)(ji)干(gan)法(fa)蝕刻法(fa)。第(di)(di)(di)五(wu)步(bu)是將al等進(jin)行濺射成(cheng)(cheng)(cheng)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)，用(yong)(yong)(yong)(yong)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)曝(pu)光、蝕刻形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)tft的源極(ji)、漏(lou)極(ji)以及(ji)(ji)信號線(xian)圖(tu)案。最(zui)后用(yong)(yong)(yong)(yong)pecvd法(fa)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)保(bao)護(hu)絕(jue)緣膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)，再用(yong)(yong)(yong)(yong)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)曝(pu)光及(ji)(ji)干(gan)法(fa)蝕刻進(jin)行絕(jue)緣膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)的蝕刻成(cheng)(cheng)(cheng)形(xing)(xing)，(該(gai)保(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)用(yong)(yong)(yong)(yong)于(yu)對柵極(ji)以及(ji)(ji)信號線(xian)電(dian)極(ji)端(duan)部和顯(xian)示電(dian)極(ji)的保(bao)護(hu))。至此(ci)，整(zheng)個工藝(yi)流程完(wan)成(cheng)(cheng)(cheng)。

tft陣列工(gong)藝是(shi)tft-lcd制造工(gong)藝的關(guan)鍵,也是(shi)設備投資最多的部分。整個工(gong)藝要求在很高(gao)的凈化條件(jian)(例如10級)下(xia)進行。

2. 在彩色(se)濾光(guang)片(cf)基板(ban)上形成(cheng)(cheng)彩色(se)濾光(guang)圖案的工藝(yi) 彩色(se)濾光(guang)片著色(se)部分的形成(cheng)(cheng)方法(fa)(fa)有染料法(fa)(fa)、顏料分散法(fa)(fa)、印(yin)刷法(fa)(fa)、電(dian)解沉積法(fa)(fa)、噴墨法(fa)(fa)。目前以顏料分散法(fa)(fa)為主。

顏料(liao)分(fen)散(san)法的第一步是將(jiang)顆粒均勻的微細(xi)顏料(liao)(平均粒徑小于0.1μm)(r、g、b三(san)(san)色(se))分(fen)散(san)在透明感光樹脂(zhi)中。然后將(jiang)它們依次用(yong)涂敷、曝光、顯(xian)影(ying)工(gong)藝方法，依次形成r. g. b三(san)(san)色(se)圖案。在制造中使(shi)用(yong)光蝕(shi)刻(ke)技術，所用(yong)裝置(zhi)主要(yao)是涂敷、曝光、顯(xian)影(ying)裝置(zhi)。

為了防(fang)止漏光(guang)，在(zai)rgb三色交界處(chu)一般都要加黑矩陣(bm)。以往多用濺射法形成(cheng)單層金屬鉻膜，現在(zai)也(ye)有改(gai)用金屬鉻和(he)氧(yang)化鉻復合型的(de)bm膜或(huo)樹(shu)脂(zhi)混合碳(tan)的(de)樹(shu)脂(zhi)型bm。

此外，還需要在(zai)bm上制(zhi)做一(yi)(yi)層保護(hu)膜及形成it0電極,由于帶有彩(cai)色濾光片的基板(ban)是(shi)作為液(ye)晶屏的前基板(ban)與帶有tft的后基板(ban)一(yi)(yi)起構成液(ye)晶盒(he)。所以必須(xu)關注好定位問題，使彩(cai)色濾光片的各單元與tft基板(ban)各像素相對應。